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【新闻】芯片封装尺寸更小三星开发出3D封装技术常州

发布时间:2020-10-19 02:09:33 阅读: 来源:焊线机厂家

<P><FONT size=2>&nbsp;&nbsp;&nbsp; </FONT><FONT face=Courier size=2>三星</FONT><FONT face=Courier size=2>电子(Samsung Electronics)日前宣布,它已开发出一种芯片三维封装技术,基于其专利</FONT><FONT face=Courier size=2>晶圆</FONT><FONT face=Courier size=2>级堆叠工艺(WSP)。三星的WSP技术采用“Si贯通电极”(through silicon via)互连,实现了用于</FONT><FONT face=Courier size=2>手机</FONT><FONT face=Courier size=2>和其它产品的一系列小型混合式封装。<BR></FONT><SPAN class=px14><FONT id=FontSizeSettings4></FONT></SPAN></P><SPAN class=px14><FONT>

<P><BR><FONT face=Courier size=2>  该公司的第一款3D封装由一个16Gb</FONT><FONT face=Courier size=2>内存</FONT><FONT face=Courier size=2>解决方案组成,在同一个单元中堆叠了8个2Gb NAND芯片。三星表示,该技术是目前多芯片封装(MCP)尺寸更小的版本。三星的WSP原型样品垂直堆叠了8个50微米的2Gb NAND闪存裸片,高度为0.56毫米。</FONT></P>

<P><FONT face=Courier size=2></FONT>&nbsp;</P>

<P><FONT face=Courier><FONT size=2>  初期,三星将在2007年初把其WSP技术用于生产面向</FONT><FONT size=2>移动</FONT><FONT size=2>应用和其它消费电子基于NAND的存储卡。随后,它将把这项封装技术用于高性能系统封装(SiP)解决方案,以及包括</FONT><FONT size=2>服务器</FONT><FONT size=2>DRAM模块在内的高容量DRAM堆叠封装。</FONT></FONT><FONT face=Courier></FONT></P></FONT></SPAN>

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